Patents

------------------------------------------TBU------------------------------------------

[대한민국] 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 / 이장식 외 2인 / 10-2020-0168022 / 2020-12-04

[대한민국] 다중층 선택 소자 및 그 제조 방법 / 이장식 외 2인 / 10-2020-0151132 / 2020-11-12

[대한민국] 다중층 선택 소자 및 그 제조 방법 / 이장식 외 2인 / 10-2020-0151131 / 2020-11-12

[대한민국] 광학 시냅스 소자 및 그 제조방법 / 이장식, 박영준 / 10-2020-0134374 / 2020-10-16

[대한민국] 액상 저항변화 메모리 소자 / 이장식, 김동신 / 10-2020-0048004 / 2020-04-21

[대한민국] 강유전체 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 강유전체 트랜지스터 / 이장식, 김민규 / 10-2020-0010550 / 2020-01-29

[대한민국] 가중치 소자 및 이의 방법 / 유인경, 이장식 외 2인 / 10-2016-0124525 / 2016-09-28

[대한민국] 불휘발성 강유전체 인버터 및 작동방법 / 유인경, 이장식 외 1인/ 10-2016-0124492 / 2016-09-28

[대한민국] 생체적합한 저항변화메모리 및 그 제조방법(저항변화메모리 및 그 제조방법) / 이장식, 니루파 라이스 호세이니 / 10-2015-0104837 / 2015-07-24

[대한민국] 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리 및 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법 / 이장식 / 10-2015-0054417 / 2015-04-17

[대한민국] 상향식 저항변화메모리 및 상향식 저항변화메모리의 제조방법 / 이장식, 한언빈 / 10-2015-0054416 / 2015-04-17

[대한민국] 키토산 메모리 소자(저항변화메모리 및 저항변화메모리의 제조방법) / 이장식, 니루파 라이스 호세이니 / 10-2015-0047652 / 2015-04-03

[대한민국] 플렉서블 유기 메모리 소자 및 그 제조방법 / 이장식, 김수진 / 10-1234225 / 2013-02-12

[대한민국] 나노 템플릿 및 그 제조 방법 / 이장식, 유시훈 / 10-1234222 / 2013-02-12

[대한민국] 미세구조 및 그 제조 방법 / 이장식 / 10-1220243 / 2013-01-03

[대한민국] 플렉서블 유기 메모리 소자 및 그 제조방법 / 이장식, 김수진 / 10-1190570 / 2012-10-08

[대한민국] 전하저장층 및 그의 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제조 방법 / 이장식 외 5인 / 10-1155108 / 2012-06-04

[대한민국] 나노입자계 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 / 이장식, 박영수 / 10-1111741 / 2012-01-26

[대한민국] 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 동작방법 및 제조방법 / 이장식 / 10-1105645 / 2012-01-06

[대한민국] 전하 트랩층을 갖는 비휘발성 유기 메모리 소자 / 이장식 외 2인 / 10-1061053 / 2011-08-25

------------------------------------------TBU------------------------------------------

[US] Floating gate having multiple charge storing layers, method of fabricating the floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof / 이장식 외 2인 / 08268711 / 2012-09-18

[US] Cell array of semiconductor memory device and a method of forming the same / 설종선, 이장식 외 4인 / 08237199 / 2012-08-07

[US] Method of forming floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof / 이재갑, 이장식 외 2인 / 07897458 / 2011-03-01

[US] Charge trapping layer, method of forming the charge trapping layer, non-volatile memory device using the same and method of fabricating the non-volatile memory device / 이장식 외 5인 / 12588871 / 2010-11-04

[US] Cell array of semiconductor memory device and a method of forming the same / 설종선, 이장식 외 4인 / 07795643 / 2010-09-14